O le Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) e faʻavae i Erlangen ma le kamupani gaosi microwave ma radio frequency plasma system e faʻavae i Wettenberg, PVA TePla AG, o loʻo tuʻufaʻatasia o la tomai i se Fale Suʻesuʻe Faʻatasi mo le gaosiga o tioata alumini nitride (AlN).
I le avea ai ma se faiga faapaaga muamua i Europa, o lenei faiga faapaaga e mafai ai ona lagolagoina e le alamanuia le gaosiga laiti o monocrystalline AlN substrates e 2-inisi le lautele mo faamoemoega o suesuega ma atinae. O lenei mea e faaleleia atili ai le maua o AlN substrates i Europa, lea e faatelevaveina ai le atinaeina o masini ma faiga e faavae i le AlN ma lo latou suiga i talosaga tau alamanuia.
O le alumini nitride o se tasi o mea e sili ona folafolaina mo le isi tupulaga o mea eletise e maualuga le faatinoga. I le avea ai ma se semiconductor ultrawide-bandgap (UWBG), ua tatalaina ai e le AlN ni avanoa fou i le photonics, power electronics, high-frequency electronics, ma mea eletise e faʻagaoioia i lalo o tulaga faigata. I le taimi nei, o le le lava o mea e sili ona lelei, e tele le eria ma taugofie le AlN substrates ua taofia ai le atinaʻeina o faiga eletise e faʻavae i luga o le AlN.
“Faatasi ai ma le Joint Lab, o loʻo matou faʻataʻatia le faʻavae e faʻamautinoa ai le sapalai mautu o mea faʻavae AlN mai Europa, ma faʻapea ona tatalaina ai ni avanoa fou mo le isi tupulaga o masini AlN e maualuga le faʻatinoga,” o le saunoaga lea a Dr Sven Besendörfer, o le taʻitaʻi o le vaega mo mea nitride ma e nafa ma le atinaʻeina o mea AlN i Fraunhofer IISB. “Faʻatasi ai ma le PVA TePla, o loʻo matou faʻaopoopoina atu lo matou tomai i le tuputupu aʻe o tioata faʻapisinisi, ma faʻapea ona fausia ai mea e manaʻomia muamua mo le fesiitaiga i faʻaoga sima.”
Ua fetaui le tekinolosi o meafaigaluega ua fa'amaonia ma le poto fa'apitoa i le fa'agasologa o galuega
I totonu o le fale suʻesuʻe faʻatasi, o loʻo faʻaaogaina e Fraunhofer IISB lana tekinolosi faʻapitoa o le PVT (physical vapor transport) e gaosia ai ni tioata tetele AlN e 2-inisi. I lenei faiga, e faʻasusuina le pauta AlN i totonu o se ogaumu i le vevela e sili atu i le 2000°C ma faʻaputu i luga o se tioata fatu. O le PVA TePla e tuʻuina atu ni faiga PVT mo lenei faʻamoemoe, ia ua uma ona faʻaaogaina i le lalolagi atoa mo tioata silicon carbide (SiC) e 8-inisi le lautele ma ua faʻapitoa nei mo le tuputupu aʻe o tioata AlN e 2-inisi.
Ona o le tomai faapitoa i le faagasologa na saofagā i ai le Fraunhofer IISB, na vave ai ona mafai e le 'au a le PVA TePla ona gaosia ni tioata AlN e tutusa lelei lona tulaga i ona lava fale gaosi. O le Joint Lab e taula'i i le gaosiga mautu o tioata AlN e 2-inisi le lapopo'a. O lo'o fa'ateleina nei le gaosiga e fa'aleleia atili ai le mautu o le faagasologa, le mafai ona toe gaosia, le fua ma le tau o le gaosiga.
“Faatasi ai ma le alumini nitride, o loʻo matou faʻatulagaina ma le malosi le isi tupulaga o tekinolosi e mulimuli i le SiC,” o le saunoaga lea a Dr Jan Pfeiffer, sui peresitene o R&D i le PVA TePla. “E ala i le Joint Lab, e mafai ona matou tuʻufaʻatasia saʻo o matou tomai faʻapitoa i meafaigaluega ma le poto masani i le faʻagasologa o le Fraunhofer IISB, ma mafai ai ona matou ofoina atu ni fofo faʻapitoa i maketi i a matou tagata faʻatau i le lalolagi atoa i se taimi vave,” o lana faʻaopoopoga lea. “O la matou sini faʻatasi o le faʻamalosia lea o le atinaʻeina o maketi i le vaega o le AlN e ala i mea talafeagai ma le lagolagoina o kamupani o loʻo vaʻavaʻai e ulufale i lenei matata o ni paʻaga faʻatekinolosi faʻatasi ai ma meafaigaluega saʻo ma tomai faʻapitoa i le faʻagasologa.”
Fa'amalosia o le pule silisili ese fa'atekonolosi a Europa e ala i le fa'alauteleina o alamanuia
O tioata AlN o loʻo gaosia i le Joint Lab ua toe faʻagasoloina i Fraunhofer IISB i ni substrates AlN epi-ready ma, e ala i le kamupani suʻesuʻega ma atinaʻe oloa a Erlangen LZE GmbH, ua faʻaliliuina faʻapitoa i atinaʻe faʻapisinisi ma faiga faʻateleina. "Mo le pule silisili ese a Europa i semiconductor, e taua tele le le gata ina atiaʻe mea taua fou ae faʻaliliuina vave foʻi i faʻaoga faʻapisinisi ma le faʻalauteleina o le faʻatupuina o taua," o le tala lea a le pule faʻatonu o le LZE, Dr Christian Forster. "Faatasi ai ma lana maketi mo tekinolosi faʻaonaponei, ua tuʻuina atu e le LZE GmbH i kamupani ma faʻalapotopotoga suʻesuʻe ni avanoa tulaga ese ma tatala i le lalolagi atoa i substrates AlN. I lenei auala, matou te fesoasoani e faʻamautinoa o loʻo vave ona aumaia i le maketi ni talosaga folafolaina mo maketi faʻapisinisi tetele."
Taimi na lafoina ai: Iulai-20-2026