I le aso 13 o Setema, 2024, na faasilasila ai e le Resonac le fausiaina o se fale gaosi oloa fou mo SiC (silicon carbide) wafers mo semiconductors eletise i lana Yamagata Plant i Higashine City, Yamagata Prefecture. O le a maeʻa i le kuata lona tolu o le 2025.
O le nofoaga fou o le a tu i totonu o le Yamagata Plant o lana lala, o le Resonac Hard Disk, ma o le a iai se vaega o le fale e 5,832 sikuea mita. O le a gaosia ai ni SiC wafers (substrates ma epitaxy). Ia Iuni 2023, na maua ai e le Resonac le tusipasi mai le Matagaluega o le Tamaoaiga, Fefaatauaiga ma Alamanuia o se vaega o le fuafuaga faamautinoa o le sapalai mo meafaitino taua ua atofaina i lalo o le Tulafono o le Faalauiloaina o le Saogalemu o le Tamaoaiga, aemaise lava mo meafaitino semiconductor (SiC wafers). O le fuafuaga faamautinoa o le sapalai ua faamaonia e le Matagaluega o le Tamaoaiga, Fefaatauaiga ma Alamanuia e manaomia ai se tupe teufaafaigaluega e 30.9 piliona yen e faamalosia ai le gafatia o le gaosiga o le SiC wafer i nofoaga autu i Oyama City, Tochigi Prefecture; Hikone City, Shiga Prefecture; Higashine City, Yamagata Prefecture; ma Ichihara City, Chiba Prefecture, faatasi ai ma fesoasoani e oo atu i le 10.3 piliona yen.
O le fuafuaga o le amata lea ona tuʻuina atu o SiC wafers (substrates) i Oyama City, Hikone City, ma Higashine City ia Aperila 2027, faatasi ai ma le gafatia gaosiga faaletausaga e 117,000 fasi (tutusa ma le 6 inisi). O le sapalai o SiC epitaxial wafers i Ichihara City ma Higashine City ua fuafuaina e amata ia Me 2027, faatasi ai ma le gafatia faaletausaga e 288,000 fasi (e le suia).
I le aso 12 o Setema, 2024, na faia ai e le kamupani se sauniga o le suaina o le eleele i le nofoaga ua fuafuaina mo le fausiaina i le Yamagata Plants.
Taimi na lafoina ai: Setema-16-2024