Tala Fou o Alamanuia: O le tekinolosi a le IVWorks'reGaN e mafai ai ona fa'aogaina le 742GHz GaN HEMT muamua

Ata: O se inisinia IVWorks o loʻo faʻatulagaina se puna plasma mo le faʻatinoina i totonu o se faiga Hybrid MBE e tele ina gaosia, e lagolagoina ai le maualuga o le tutusa ma le maualuga o le tuputupu aʻe o le epitaxial GaN.

O se transistor maualuga-electron-mobility gallium nitride (GaN) (HEMT) e aofia ai le tekinolosi fa'apitoa o le reGaN selective regrowth a le IVWorks Co Ltd o Daejeon, Korea i Saute ua avea ma uluai transistor GaN i le lalolagi e ausia le maualuga o le oscillation frequency (f_{sili ona maualuga}) e sili atu i le 700GHz. Na faʻaalia lenei mea e ala i se masini 45nm GaN HEMT na atiae e le 'au suʻesuʻe a polofesa Dae-hyun Kim i le Aʻoga o Inisinia Faʻaeletoronika i le Iunivesite Aoao o Kyungpook ma na faʻaalia i le aso 18 o Iuni i le 2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology & Circuits i Honolulu, Hawaii, ISA.

Na fausia e le 'au su'esu'e se transistor GaN ma le umi o le faitoto'a 45nm ma ausia ai se fa'amaumauga f_{sili ona maualuga}o le 742GHz, ma faʻatuina ai se faʻailoga fou mo le faʻatinoga RF i le tekinolosi transistor GaN. Na ausia foʻi e le masini se fua faʻamaumau o le averesi o le tele o taimi (favg) o le 497GHz, o le tau aupito maualuga na lipotia mai i le taimi nei mo soʻo se tekinolosi transistor GaN. O nei taunuuga e faʻaalia ai o semiconductors GaN e lava le gafatia o le faʻatinoga e tusa lava pe i le faiga ultra-high-frequency ma e mafai ona avea o se faʻavae aoga mo faiga eletise sub-terahertz ma terahertz i le lumanaʻi, fai mai IVWorks.

E ui o transistors e faʻavae i le indium phosphide (InP) ua leva ona pulea le faiga o le sub-terahertz frequency ona o latou uiga ese o felauaiga eletise, o lo latou voltage breakdown maualalo e faʻatapulaʻaina ai le malosiaga o le output ma le scalability o le system. I se faatusatusaga, o le GaN e ofoina atu se tuufaatasiga tulaga ese o le eletise breakdown maualuga, le maualuga o le malosiaga, ma le malosi tele o le vevela, ma avea ai ma sui tauva manaia mo le isi tupulaga maualuga-frequency ma le malosi maualuga. Peitai, o le ausiaina o le faatinoga o le ultra-high-frequency ma le GaN o loo avea pea ma luitau tele. Ina ia foia nei tapulaa, na faaaoga ai e le au suesue se faiga alualu i luma o le 45nm gate ma faaleleia atili ai le fausaga o masini e faateleina ai le faatinoga o le maualuga o le frequency.

O se tasi o mea taua na mafai ai ona faʻaaogaina o le tekinolosi faʻapitoa a le IVWorks o le reGaN selective regrowth. Na atiaʻe faʻapitoa e le IVWorks, o le reGaN e toe faʻaleleia ma le filifilia le GaN ituaiga-n ua faʻapipiʻiina tele i vaega o le puna ma le alavai, ma faʻaitiitia ai le teteʻe o le paʻi. I le avea ai ma paʻaga suʻesuʻe faʻatasi i lenei suʻesuʻega, na faʻaalia ai e le IVWorks le mea ua fai mai o le tutusa lelei o le faʻagasologa i le wafer atoa e 4-inisi ma ausia ai le toe gaosia mataʻina. E le gata i lea, na faʻaitiitia e le kamupani le teteʻe o le atinaʻe o le toe tuputupu aʻe (R_totonu) i le 0.027Ω-mm, e latalata atu i le tapula'a fa'ateorē e mafai ona ausia i le maualuga tutusa o le avefe'au.

“O lenei suʻesuʻega e tuleia ai tapulaʻa o le faʻatinoga RF o GaN HEMTs i se tulaga fou ma faʻaalia ai le gafatia o semiconductors GaN mo faʻaoga ultra-high-frequency e ala i le faʻataʻitaʻiga muamua a le lalolagi o se GaN HEMT ma se h e sili atu i le 700GHz,” o le tala lea a le polofesa o Dae-hyun Kim. “E matuā tāua tele le suʻesuʻega o se faʻataʻitaʻiga manuia o le galulue faʻatasi a le alamanuia ma aʻoaʻoga, e tuʻufaʻatasia ai le tuputupu aʻe epitaxial ma tekinolosi toe tuputupu aʻe mai le alamanuia faʻatasi ai ma le tomai o le iunivesite i suʻesuʻega o masini ma matagaluega,” o lana faʻaopoopoga mai lea.

“I le fa’avaeina i luga o lenei mea ua ausia, matou te fuafua e fa’avavevave atili le atina’eina o masini eletise GaN o le isi tupulaga e fa’atatau i talosaga terahertz-frequency mo feso’ota’iga 6G ma tekinolosi puipuiga fa’aonaponei.”

Ua taʻua e le IVWorks o lenei ausiaga ua faʻamamafa atili ai le tuputupu aʻe o le gafatia o le tekinolosi GaN e faʻalautele atu ai i tala atu o RF masani ma eletise eletise i totonu o faʻaoga fou o sub-terahertz ma terahertz, e aofia ai fesoʻotaʻiga 6G, faiga radar faʻapitoa, fesoʻotaʻiga satelite, ma eletise puipuiga o le isi tupulaga.

“O le reGaN o se tekinolosi autū ua uma ona pasia le agavaa lelei i se fale gaosi oloa tele ma ua faʻaaogaina mo le gaosiga tele,” o le saunoaga lea a le Pule Sili o le IVWorks, Young-kyun Noh. “O lenei ausia ua faʻaalia ai o la matou faʻavae reGaN faʻavae i luga o le Hybrid-MBE e le gata ua sauni mo le gaosiga ae o se tekinolosi autu e mafai ai mo le isi tupulaga o le sub-terahertz ma terahertz GaN electronics,” o lana faʻaopoopoga mai lea. “Matou te mitamita e vaʻai i le tekinolosi a le IVWorks o loʻo saofagā i se laʻasaga taua i suʻesuʻega i le lalolagi.”